生捡
为什么SABER仿真IR2184的上桥MOS的驱动，自举驱动，为啥一直很难正常实现自举？
并且还有个问题就是，那个.out文件无法删除，只有重启才能删除
重启电脑才能删除
下天行龙
Lm25184 这种驱动芯片有人用过吗
PSR反激有人研究过吗
生捡
?没了翅膀的蜗牛 不删除 .out文件，无法执行仿真操作
仿真操作就报错
生捡
有时可以有时不行，算了，糊弄着用吧，重装也挺麻烦ALL.师傅，能否分析一下，IR2101的工作原理，如果在VB和VS之间加独立电源，可以驱动高端MOS，这是如何实现的，不用自举，用独立电源驱动高端MOS
牛蜗的膀翅了没
所谓的自举电容就是上管供电的电容，跟你是自举上去的还是隔离供电提供的没关系
芯片耐压这个主要是提现在high voltage level shift
驱动信号传递过去就可以，剩下的只是参考电位的问题
生捡
?没了翅膀的蜗牛 2101就是用独立电源加到VB和VS之间，驱动外部高端MOS，这个芯片内部的最后的输出MOS是如何驱动的
因为最后的这个MOS和内部不共地
就是不用自举方式驱动外部MOA
去掉外部的隔离二极管，自举电容，在VS和VB之间加独立电源来驱动外部MOS
那么这个芯片内部是如何启动这个最后输出MOS的，两个电源不共地
牛蜗的膀翅了没
不共地有什么关系，有电压差就是了
如果让你来设计这个芯片你怎么做，最简单还是不做个高通，把脉冲提取出来
生捡
?没了翅膀的蜗牛 两个电源，之间独立的话，怎么会有电压差
生捡
还是通过外部的电路共地了
不过是通过电阻
不是电源共地
是通过电阻产生压差了
通过外部电阻产生压差了
相通了
VS对功率电源的地有个电阻
但是MOS的栅极是绝缘的
我外部电路，上桥MOS的S对功率电源的的地有个10K 的电阻，这样可以解释，通过这个电阻构成了芯片输出MOS的驱动，但是这样应该是关掉的时候，低电平上升沿很慢，因为芯片内部的下管NMOS的关断是通过这个外部的10K电阻关断，但是实际也没有变慢
