生人意恣
Wake是工作电路功耗不可能比休眠低
现在休眠反而功耗低
noziroH
是的呀wake的时候功耗高，sleep的时候功耗低
横坐标是时间你再看下图 生人意恣
是图标注的有问题让我误解了
？一下这里的Vdb是指哪个电压，db是什么缩写 noziroH
那个说的是sleep和wake的信号，应该是你理解错了
noziroH
S for source, D for drain, B for Body
就是MOS的几个端
生人意恣
?Horizon 上图中Virtual GND是不是指Sleep管的drain
生人意恣
文章省略的东西太多啦
_raguS
？个问题
一般我们是在slow corner下检查setup，在fast下检查hold,但是在slow corner下skew更差，而skew对hold影响又特别大，所以应该在slow下检查hold，这好奇怪啊
生人意恣
这里的Fine Grain Power Switch Cell休眠时输出为高电平，工作时休眠管会不会影响输入求值
noziroH
省略的都是很基本的，如果学过基础的话应该知道的
生人意恣
不明确指出一种读者只能靠猜了，而专门做这个的又不会仔细看而跳过
。意随你，杯干我
问一下,28nm 的rc corner中Cworst_T指的是什么
T指的是什么 noziroH
?恣意人生 在工作时，会保证virtual gnd或者virtual vdd上电压不会上升或者下降太多，能保证功能和时序正常，grain的话会体现在lib里面
。意随你，杯干我
?Horizon 楼主
我看比较差点的工艺是没有这种corner的 noziroH
?我干杯，你随意。 这个我还没有见过，你的28是哪里的，我用过的28里面好像没有这个写法
生人意恣
?Horizon 谢谢，那么是不是说N休眠管RC比较大，在导通时并不会将其很快放电到GND
noziroH
这个没有用过?我干杯，你随意。 得看doc了
tserroF
T收敛的更紧吧，用于setup signoff
noziroH
?Forrest 
?恣意人生 Fine Grain的其实还好，IR-drop不是太大，但是太费面积，现在用的应该都是单个的switching cell，RC应该也不会很大，但是电路大的情况下，IR-drop就大了 生人意恣
关键休眠管导通的话drain 很快放电到gnd，和你说的确保virtual gnd不上午太多是不是矛盾了
就是说如果快速放电相当于直接到gnd电位
noziroH
是的，
virtual gnd最理想的就是gnd电位
可是mos上肯定有导通电阻的，因此有IR-drop
或者说ground bounce
生人意恣
休眠管宽长比是不是比正常工作的管子要大？
还是说设计时性能并不如工作的管子，比方大的栅氧，长的沟道
noziroH
一种是做的大一点，或者就是很多管子并联，都可以，做成daisy chain的形式
生人意恣
Daisy那种就是是coarse grain
可以降低面积
建议你们的推文多讲讲电路工作方式再讲用途，这样有利于后来者学习
enyaR
楼主可以搞个系统的课程，现成的有吗??Horizon 后来者学习起来更系统
noziroH
课程暂时没有哈，以后努力
推文下方有参考文献哦，如果想学习更多内容可以看下参考文献哦，有些是英文的
整个低功耗的快写完了，到时候整理下发出来 生人意恣
今天好好学习下，不懂之处还需要您好好指教
这里pmos管的body电位未指明时是不是就是接Vdd 生人意恣
？有写dvfs dvs吗
?Horizon 能不能给分析下这个原理
library charaterization，对K库感兴趣的兄弟们多多指教，多多交流[抱拳]
